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多晶硅（polycrystalline silicon）有灰色金屬光澤，密度2.32~2.34g/cm3。熔點1410℃。沸點2355℃。溶于氫氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和鹽酸。硬度介于鍺和石英之間，室溫下質(zhì)脆，切割時易碎裂。加熱至800℃以上即有延性，1300℃時顯出明顯變形。常溫下不活潑，高溫下與氧、氮、硫等反應(yīng)。高溫熔融狀態(tài)下，具有較大的化學(xué)活潑性，能與幾乎任何材料作用。 ...查看詳情>>
多晶硅（polycrystalline silicon）有灰色金屬光澤，密度2.32~2.34g/cm3。熔點1410℃。沸點2355℃。溶于氫氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和鹽酸。硬度介于鍺和石英之間，室溫下質(zhì)脆，切割時易碎裂。加熱至800℃以上即有延性，1300℃時顯出明顯變形。常溫下不活潑，高溫下與氧、氮、硫等反應(yīng)。高溫熔融狀態(tài)下，具有較大的化學(xué)活潑性，能與幾乎任何材料作用。具有半導(dǎo)體性質(zhì)，是極為重要的優(yōu)良半導(dǎo)體材料，但微量的雜質(zhì)即可大大影響其導(dǎo)電性。電子工業(yè)中廣泛用于制造半導(dǎo)體收音機、錄音機、電冰箱、彩電、錄像機、電子計算機等的基礎(chǔ)材料。由干燥硅粉與干燥氯化氫氣體在一定條件下氯化，再經(jīng)冷凝、精餾、還原而得。
與冶金級硅材料相比，用于太陽能行業(yè)的多晶硅具有顯著更高的純度，通常為99.999％或以上的純度。殘留物是雜質(zhì)，如C，O和微量元素，如Fe，Cu，Ni等。痕量污染物的數(shù)量取決于制造商、過程以及有時生產(chǎn)批次。
雖然少于0.001％或10ppm，但多晶硅中痕量污染物的量和組成對光伏器件具有深遠影響。與半導(dǎo)體行業(yè)類似，金屬污染控制是提高器件產(chǎn)量和可靠性的關(guān)鍵過程之一，減少太陽能光伏電池中的金屬污染使電池效率更高和更長的設(shè)備壽命。
多晶硅微量元素測試方法
多晶硅的痕量金屬分析包括將多晶硅基質(zhì)溶解在混合酸中，然后消化以除去硅基質(zhì)。然后通過電感耦合等離子體質(zhì)譜（ICP-MS）分析制備的溶液。重新計算結(jié)果以獲得固體多晶硅樣品中的痕量金屬濃度。
對于多晶硅塊體中的痕量元素，方法檢測限為每克硅（0.01 g / g-g-Si或ppbw）0.01至0.1納克，用于高純度硅測試。檢測限在0.2 ppbw范圍內(nèi)的方法作為較低成本的替代方案提供。
根據(jù)超過30個單獨試驗，30種元素的平均加標回收率在82％到106％之間。
我們還根據(jù)ASTM F1724-96 / SEMI MF1724-1104方法提供了多晶硅樣品表面痕量金屬的測試。在該方法中，使用電感耦合等離子體質(zhì)譜（ICP-MS）和/或電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜（ICP-AES）來確定溶液中元素的濃度而不是石墨爐原子吸收光譜法（GF-AAS）。提取條件如酸濃度，提取時間，提取溫度可以變化以滿足客戶的目標。對于表面痕量元素分析，可以實現(xiàn)與批量分析相同的方法檢測限。
| 元素 | 檢出限 | |||
|
Low Level (ppbw) |
Low Level (ppba) |
Low Level (ppta) |
||
| Aluminum | (Al) | 0.05 | 0.05 | 50 |
| Antimony | (Sb) | 0.05 | 0.01 | 10 |
| Arsenic | (As) | 0.1 | 0.04 | 40 |
| Barium | (Ba) | 0.01 | 0.002 | 2 |
| Beryllium | (Be) | 0.05 | 0.2 | 200 |
| Cadmium | (Cd) | 0.01 | 0.002 | 2 |
| Calcium | (Ca) | 0.1 | 0.07 | 70 |
| Chromium | (Cr) | 0.05 | 0.03 | 30 |
| Cobalt | (Co) | 0.01 | 0.005 | 5 |
| Copper | (Cu) | 0.05 | 0.02 | 20 |
| Gallium | (Ga) | 0.01 | 0.004 | 4 |
| Germanium | (Ge) | 0.05 | 0.02 | 20 |
| Iron | (Fe) | 0.1 | 0.06 | 60 |
| Lead | (Pb) | 0.05 | 0.007 | 7 |
| Lithium | (Li) | 0.05 | 0.2 | 200 |
| Magnesium | (Mg) | 0.05 | 0.06 | 60 |
| Manganese | (Mn) | 0.05 | 0.03 | 30 |
| Molybdenum | (Mo) | 0.05 | 0.02 | 20 |
| Nickel | (Ni) | 0.05 | 0.03 | 30 |
| Niobium | (Nb) | 0.05 | 0.02 | 20 |
| Potassium | (K) | 0.1 | 0.07 | 70 |
| Sodium | (Na) | 0.1 | 0.1 | 100 |
| Strontium | (Sr) | 0.01 | 0.003 | 3 |
| Tantalum | (Ta) | 0.05 | 0.008 | 8 |
| Tin | (Sn) | 0.05 | 0.01 | 10 |
| Titanium | (Ti) | 0.05 | 0.03 | 30 |
| Tungsten | (W) | 0.05 | 0.008 | 8 |
| Vanadium | (V ) | 0.05 | 0.03 | 30 |
| Zinc | (Zn) | 0.05 | 0.02 | 20 |
| Zirconium | (Zr) | 0.01 | 0.003 |
3 |
多晶硅檢測標準匯總
| 標準編號 | 標準名稱 |
| GB/T 35309-2017 | 用區(qū)熔法和光譜分析法評價顆粒狀多晶硅的規(guī)程 |
| GB/T 25074-2017 | 太陽能級多晶硅 |
| GB/T 33236-2016 | 多晶硅 痕量元素化學(xué)分析 輝光放電質(zhì)譜法 |
| GB/T 32652-2016 | 多晶硅鑄錠石英坩堝用熔融石英料 |
| GB/T 12963-2014 | 電子級多晶硅 |
| GB 29447-2012 | 多晶硅企業(yè)單位產(chǎn)品能源消耗限額 |
| GB/T 29057-2012 | 用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評價多晶硅棒的規(guī)程 |
| GB/T 29054-2012 | 太陽能級鑄造多晶硅塊 |
| GB/T 29055-2012 | 太陽電池用多晶硅片 |
| GB/T 25074-2010 | 太陽能級多晶硅 |
| GB/T 24579-2009 | 酸浸取 原子吸收光譜法測定多晶硅表面金屬污染物 |
| GB/T 24582-2009 | 酸浸取 電感耦合等離子質(zhì)譜儀測定多晶硅表面金屬雜質(zhì) |
| JC/T 2349-2015 | 多晶硅生產(chǎn)用氮化硅陶瓷絕緣體 |
| JC/T 2067-2011 | 太陽能多晶硅用熔融石英陶瓷坩堝 |
| YS/T 1195-2017 | 多晶硅副產(chǎn)品 四氯化硅 |
| YS/T 724-2016 | 多晶硅用硅粉 |
| YS/T 1061-2015 | 改良西門子法多晶硅用硅芯 |
| YS/T 983-2014 | 多晶硅還原爐和氫化爐尾氣成分的測定方法 |
| DB53/T 747-2016 | 多晶硅生產(chǎn)回收氫氣中氯化氫含量的測定 氣相色譜法 |
| DB53/T 618-2014 | 氣相色譜法測定多晶硅生產(chǎn)中氫化尾氣 組分含量 |
| DB53/T 499-2013 | 多晶硅用三氯氫硅 |
| DB53/T 501-2013 | 多晶硅用三氯氫硅雜質(zhì)元素含量測定 電感耦合等離子體質(zhì)譜法 |
| DB53/T 500-2013 | 多晶硅用三氯氫硅組分含量測定 氣相色譜法 |
| DB15/T 1239-2017 | 多晶硅生產(chǎn)凈化氫氣用活性炭中雜質(zhì)含量的測定 電感耦合等離子體發(fā)射光譜法 |
| DB15/T 1241-2017 | 硅烷法生產(chǎn)多晶硅尾氣中硅烷含量的測定 氣相色譜法 |
| DB65/T 3486-2013 | 太陽能級多晶硅塊紅外探傷檢測方法 |
| DB65/T 3485-2013 | 太陽能級多晶硅塊少數(shù)載流子壽命測量方法 |
收起百科↑ 最近更新：2018年02月27日
次性可吸收釘皮內(nèi)吻合器 、生物可吸收冠狀動脈雷帕霉素洗脫支架、 可吸收硬腦膜封合醫(yī)用膠 、周圍神經(jīng)修復(fù)移植物 、周圍神經(jīng)套接管
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