您當(dāng)前的位置：檢測資訊 > 科研開發(fā)
嘉峪檢測網(wǎng) 2020-09-11 09:12
（一）阿爾法粒子的危害
半導(dǎo)體器件的各種制造和封裝材料中存在痕量的鈾（U）、釷（Th）等雜質(zhì)，這些雜質(zhì)具有天然放射性，其釋放的阿爾法粒子具有較強的電離能力。目前，半導(dǎo)體器件中阿爾法粒子主要來源于模塑料、焊球、底部填充膠等，其發(fā)射率分為三個等級：普通、低阿爾法（LA）和超低阿爾法（ULA）。阿爾法粒子穿過電子器件時可產(chǎn)生大量的電子-空穴對，電子-空穴對被器件收集進而導(dǎo)致軟錯誤的出現(xiàn)。軟錯誤雖然可以被糾正，但當(dāng)其發(fā)生在關(guān)鍵位置（如中央處理器指令緩存）且沒有被及時修正時，可能導(dǎo)致嚴(yán)重的后果。隨著集成電路工藝的持續(xù)發(fā)展，受集成度增大、供電電壓降低、節(jié)點電容減小等因素的影響，電離粒子在先進工藝器件中引起的軟錯誤成為應(yīng)用可靠性的關(guān)鍵威脅。
圖半導(dǎo)體器件封裝中的阿爾法粒子來源（圖片來源：IBM）
（二）測試樣品要求
針對半導(dǎo)體器件中所有發(fā)射阿爾法粒子的材料，包括塑封料、焊球、晶圓等，均可進行阿爾法粒子發(fā)射率測試，覆蓋各種阿爾法粒子發(fā)射率等級。進行阿爾法粒子發(fā)射率測試的樣品要求如下表所示。
表1 測試樣品要求
|
樣品大小 |
樣品尺寸：小于1800cm2 (方形) |
|
推薦值：707cm2 (300mm晶圓大小，圓形) |
|
|
注：面積越大，測量速度越快。 |
|
|
樣品厚度 |
mm級，小于6.3 mm |
|
樣品重量 |
小于9 kg |
|
樣品防污染運輸處理要求 |
1.全程真空密封，防潮防靜電； |
|
2.處理樣品需帶無塵手套，使用無塵布拭擦。 |
|
|
備注 |
可測量集成電路樣品，樣品數(shù)量越多越好，總面積小于1800cm2，樣品運輸處理要求同上。 |
來源：賽寶可靠性
