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21世紀(jì)的今天，集成電路高度市場化，越來越多的元器件存在于我們生活各個領(lǐng)域，大到航空航天、軍工汽車，小到生活各類消費品，例如手機、電腦、手表、電視等等，都離不開各類元器件的使用，元器件與我們的生活息息相關(guān)。同時元器件也帶來了一定的風(fēng)險，市面上出現(xiàn)的炸機現(xiàn)象也是屢見不鮮，汽車故障、電路板起火等大部分與器件的質(zhì)量相關(guān)，因此，提前篩選出質(zhì)量高，可靠性好的器件是各大廠商的迫切需求。

高溫反向偏壓試驗（High TemperatureReverseBias）,簡稱HTRB。是分立器件可靠性最重要的一個試驗項目，實驗在高溫條件下，模擬器件長時間工作狀態(tài)中的耐受能力，以此可推算出實際應(yīng)用中器件的壽命和應(yīng)力大小。在器件量產(chǎn)或使用前按照實際應(yīng)用場景模擬實驗，提前摸清器件應(yīng)力情況，可完全避免因應(yīng)力、環(huán)境導(dǎo)致的失效及影響，是出廠器件必不可少的一項老化實驗。

1實驗?zāi)康?/span>

暴露器件跟時間、應(yīng)力相關(guān)的缺陷，衡量當(dāng)前器件是否滿足規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)要求，排查出封裝或晶圓本身的質(zhì)量問題

2測試相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)

可覆蓋車規(guī)、工規(guī)及AEC-Q101、AEC-Q102、AQG324、JEDEC、 JESD 22-A108、JEDEC、 JESD 22-A101、MIL-STD-750、GJB 128等相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)要求；

3適應(yīng)器件種類

可覆蓋各種半導(dǎo)體分立器件（二極管、三極管、MOSFET 管 （增強型、耗盡型）、達(dá)林頓管、可控硅、IGBT）進(jìn)行高溫反偏試驗，適用于各種封裝。

4覆蓋實驗范圍

覆蓋實驗溫度：0℃~200℃  

可試驗電壓范圍：0~2000V  

漏電流測量范圍：0.001uA~50mA   

試驗工位：整機可檢測工位為16×80位/板=1280位