海思芯片ESD & Latch-up 測試技術規范(25頁)
-
海思芯片ESD & Latch-up 測試技術規范(25頁)
適用范圍:
本規范規定了ESD&LatchUp測試的具體流程以及相關技術標準,適用于量產的項目芯片的ESD &Latch Up評估。
簡介:
ESD測試主要用于評估芯片的抗ESD電壓水平。抗ESD電壓低的芯片容易在生產、運輸、安裝的過程中,出現大量芯片的失效。LatchUp測試主要用于評估芯片的抗閂鎖能力。抗門鎖能力低的芯片在應用過程中,輸入電流或者電壓的波動很容易造成芯片內部出現閂鎖失效。ESD&LatchUp測試是芯片量產前的關鍵測試,是判斷芯片能否量產的主要判據。
-
1719.66KB
-
實驗管理
-
2022-06-23
-
電子電氣
-
-
下載該資料的還下載
相關資料
相關評論
您的評論: 推薦
發表評論 可以輸入500字