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芯片Test escape（測試逃逸）是指在測試階段未能有效攔截存在缺陷的芯片，導(dǎo)致其流入市場并引發(fā)故障。

Test escape常見的失效原因

1、測試程序或配置錯誤

測試文件或機臺參數(shù)設(shè)置錯誤（如BIN分類錯誤），導(dǎo)致不良品被誤判為良品。例如，某案例中晶圓廠因測試文件變更時編輯錯誤，將BIN11（不良品）歸入BIN1（良品）。

2、測試覆蓋率不足

未覆蓋關(guān)鍵功能或極端條件（如低溫、高溫、高壓等），導(dǎo)致潛在缺陷未被觸發(fā)；或未覆蓋應(yīng)用場景，導(dǎo)致參數(shù)漂移樣品未被檢出。

典型案例分析

故障背景收集：

風(fēng)扇在整機生產(chǎn)測試測試中，在整機低溫測試時多臺風(fēng)扇不工作，常溫可恢復(fù)正常；進一步定位確認(rèn)為風(fēng)扇板上的霍爾芯片低溫不工作。

霍爾芯片具體分析過程：

1）芯片原廠初始分析結(jié)論：芯片EOS失效，懷疑為ESD導(dǎo)致；并通過故障復(fù)現(xiàn)回復(fù)說可以復(fù)現(xiàn)一樣的故障現(xiàn)象。

2）內(nèi)部實驗室分析：原廠分析的結(jié)果與整機故障表現(xiàn)不符，且內(nèi)部實驗室進行IV測試和開蓋均未見明顯的異常；同時，對單體進行bench測試，確認(rèn)在低溫時霍爾芯片參數(shù)會劣化；對霍爾芯片進行動態(tài)熱點定位，未發(fā)現(xiàn)明顯異常的熱點。

綜合上述的分析，推測失效根因——霍爾芯片test escape，參數(shù)臨界的霍爾芯片未測試攔截逃逸出來到終端客戶手上。

3）芯片原廠二次分析結(jié)論：故障芯片為test escape，根因為下發(fā)給晶圓廠的測試文件要求錯誤，導(dǎo)致某個不良的bin混入到良品。

根因確認(rèn)：CP測試機臺變更，下發(fā)變更單時編輯錯誤，BIN11的不良品被歸到BIN1的良品中。

調(diào)查生產(chǎn)記錄，從變更后BIN11數(shù)量為0，確認(rèn)根因。