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嘉峪檢測(cè)網(wǎng) 2025-01-03 10:21
引言
時(shí)光飛逝，在剛剛過(guò)去的2024年，全球芯片產(chǎn)業(yè)在機(jī)遇與挑戰(zhàn)并存的復(fù)雜背景下繼續(xù)前行。回顧這一年及展望未來(lái)的趨勢(shì)，ASML的投資者日為我們提供了一個(gè)重要的視角，幫助我們深入理解產(chǎn)業(yè)動(dòng)態(tài)。2024年11月，每?jī)赡昱e辦一次的ASML投資者日上釋放出大量信息，不僅涵蓋了光刻機(jī)技術(shù)和公司的長(zhǎng)期戰(zhàn)略，還對(duì)全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈和市場(chǎng)趨勢(shì)進(jìn)行了詳細(xì)分析。
透過(guò)ASML投資者日的窗口，我們能夠看到，盡管芯片產(chǎn)業(yè)面臨諸多不確定性因素，如地緣政治和經(jīng)濟(jì)波動(dòng)，整體市場(chǎng)依然表現(xiàn)出較強(qiáng)的韌性。以ASML為例，2024年公司確認(rèn)了其到2030年的財(cái)務(wù)預(yù)期——預(yù)計(jì)年收入將在440億至600億歐元之間，毛利率在56%至60%之間。這一預(yù)期與2022年公布的目標(biāo)一致，表明ASML在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的戰(zhàn)略穩(wěn)定性和持續(xù)增長(zhǎng)潛力。
而放眼整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，資本支出的持續(xù)增加和技術(shù)創(chuàng)新的推進(jìn)進(jìn)一步印證了半導(dǎo)體行業(yè)在全球經(jīng)濟(jì)格局中的核心地位。值得關(guān)注的是，中國(guó)作為全球最大的半導(dǎo)體市場(chǎng)，其在產(chǎn)業(yè)鏈中的參與度和影響力正在逐步上升，正成為這一領(lǐng)域中不可忽視的力量。
資本角逐下的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
資本支出是衡量半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展?fàn)顩r健康與否的重要指標(biāo)。根據(jù)ASML投資者日中的信息，如下圖所示，從2015年到2024年，半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)無(wú)論是息稅前利潤(rùn)（EBIT）還是研發(fā)支出（R&D）的數(shù)值都連年增加，其中EBIT平均每年的增長(zhǎng)率為10%，研發(fā)支出略高于前者，增長(zhǎng)率達(dá)到12%。（注：EBIT簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，就是一家公司在扣除利息和所得稅之前的利潤(rùn)。EBIT與凈利潤(rùn)的區(qū)別是：EBIT更直接地反映了企業(yè)核心業(yè)務(wù)的盈利能力；凈利潤(rùn)反映企業(yè)整體的盈利能力。）
盡管市場(chǎng)低迷，但在2023年該生態(tài)系統(tǒng)仍創(chuàng)造了超過(guò)8650億美元的息稅前利潤(rùn)（EBIT）。預(yù)計(jì)2024年半導(dǎo)體行業(yè)的EBIT將達(dá)到10460億美元，而研發(fā)支出將達(dá)到5410億美元。半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)已經(jīng)將大約一半的息稅前利潤(rùn)用于推動(dòng)長(zhǎng)期創(chuàng)新和增長(zhǎng)，ASML預(yù)計(jì)這一趨勢(shì)將繼續(xù)下去。足見(jiàn)半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)具有強(qiáng)大的推動(dòng)創(chuàng)新的能力。
2015年到2024年（預(yù)測(cè)值）的研發(fā)支出和息稅前利潤(rùn)的變化趨勢(shì)。
（圖源：ASML 2024投資者日）
2024年，芯片行業(yè)正掀起一場(chǎng)空前的“研發(fā)競(jìng)賽”，全球半導(dǎo)體巨頭在技術(shù)創(chuàng)新上的投入達(dá)到了前所未有的高度：
晶圓代工巨頭臺(tái)積電的研發(fā)投入由2019年的905億元（新臺(tái)幣，下同）一路成長(zhǎng)至2023年1787億元。張忠謀在今年年底揭開(kāi)臺(tái)積電成功的秘密時(shí)曾言，早在他79歲時(shí)（14年前）就確定臺(tái)積電每年的研發(fā)支出達(dá)營(yíng)收的8%。法人預(yù)估，今年臺(tái)積電營(yíng)收有望挑戰(zhàn)新臺(tái)幣3兆元（3萬(wàn)億元），依此估算今年研發(fā)經(jīng)費(fèi)投入將成長(zhǎng)至2400億元水平。
2024年第三季度，三星半導(dǎo)體的研發(fā)支出達(dá)到了歷史最高水平，約為8.87萬(wàn)億韓元，比上一季度增長(zhǎng)了9.24%。此外，三星電子正在韓國(guó)器興園區(qū)建設(shè)一座半導(dǎo)體研發(fā)綜合體，占地面積約10.9萬(wàn)平方米，計(jì)劃到2030年投資20萬(wàn)億韓元。
ASML的研發(fā)支出從2014年的11億歐元一路攀升至2024年的預(yù)計(jì)43億歐元，近十年間增長(zhǎng)了近四倍。2024年研發(fā)支出占ASML 280億歐元總收入的15%。預(yù)計(jì)到2030年，ASML的研發(fā)投入將達(dá)到60億至66億歐元。
目前半導(dǎo)體行業(yè)市值最高的芯片公司英偉達(dá)（3萬(wàn)億美元），其研發(fā)投入從2017年的14.63億美元增長(zhǎng)至2024年的86.75億美元，期間研發(fā)費(fèi)用增加了近6倍。目前，Nvidia 控制著超過(guò)80%的AI芯片市場(chǎng)。支出的大幅增加凸顯了 Nvidia 不斷創(chuàng)新的決心，特別是在 AI 硬件和軟件方面，這對(duì)于其在競(jìng)爭(zhēng)日益激烈的市場(chǎng)中取得成功至關(guān)重要。
博通（Broadcom）公司的研發(fā)支出從2017年的32.9億美元增長(zhǎng)至2023年的 52.5億美元，2024財(cái)年在AI的驅(qū)動(dòng)下，博通的研發(fā)投入更是達(dá)到了93億美元?dú)v史新高。這樣的高研發(fā)使得博通擁有了超過(guò) 23000 項(xiàng)專(zhuān)利，其中IP領(lǐng)域高達(dá)21000項(xiàng)，為Broadcom在半導(dǎo)體技術(shù)和基礎(chǔ)設(shè)施軟件市場(chǎng)構(gòu)建了強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)力。
這些高額研發(fā)支出彰顯了企業(yè)對(duì)半導(dǎo)體市場(chǎng)長(zhǎng)期發(fā)展的信心。從自動(dòng)駕駛、智能家居到醫(yī)療健康和工業(yè)自動(dòng)化，人工智能的快速普及正不斷推動(dòng)對(duì)高性能計(jì)算的需求。特別是在AI的驅(qū)動(dòng)下，半導(dǎo)體行業(yè)迎來(lái)了巨大的增長(zhǎng)潛力。ASML重申了對(duì)2030年全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額突破1萬(wàn)億美元的樂(lè)觀預(yù)期，預(yù)計(jì)全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額在2025-2030年期間將以9%的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)。然而，ASML同時(shí)警告，人工智能在消費(fèi)領(lǐng)域的普及速度仍然存在一定的不確定性。
在整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的資本支出中，晶圓廠建設(shè)無(wú)疑是最費(fèi)錢(qián)的領(lǐng)域之一。近年來(lái)，全球各國(guó)紛紛出臺(tái)政策，力圖提升本地晶圓制造能力。從建設(shè)規(guī)模來(lái)看，未來(lái)亞洲仍將是全球半導(dǎo)體制造的核心區(qū)域。根據(jù)ASML的數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，亞洲預(yù)計(jì)新建78座晶圓廠，占全球新建晶圓廠數(shù)量的大多數(shù)；相比之下，美洲預(yù)計(jì)新建18座，歐洲及中東則預(yù)計(jì)新建12座。具體來(lái)看，全球領(lǐng)先的晶圓廠商正通過(guò)巨額投資在全球范圍內(nèi)加速擴(kuò)展產(chǎn)能：臺(tái)積電在美國(guó)、歐洲、臺(tái)灣等地投資布局；三星在美國(guó)和韓國(guó)設(shè)立新工廠；SK海力士在美國(guó)和韓國(guó)擴(kuò)展產(chǎn)能；美光也在美國(guó)和日本設(shè)廠；英特爾除了在美國(guó)本土投資，還在歐洲擴(kuò)展；日本新興公司Rapidus也在日本布局。
與此同時(shí)，從ASML描繪的全球半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)圖表可以看出，中國(guó)企業(yè)正在產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)逐步嶄露頭角。以比亞迪、阿里巴巴、小米和騰訊等為代表的中國(guó)企業(yè)，在硬件、晶圓制造以及服務(wù)領(lǐng)域的影響力與日俱增，正逐漸成長(zhǎng)為這一生態(tài)系統(tǒng)中不可忽視的關(guān)鍵力量。在人工智能領(lǐng)域，根據(jù)中國(guó)信通院發(fā)布的《2024全球數(shù)字經(jīng)濟(jì)白皮書(shū)》，截至2024年第一季度，中國(guó)已擁有71家AI獨(dú)角獸企業(yè)和478個(gè)大模型，顯示出強(qiáng)勁的技術(shù)發(fā)展勢(shì)頭。
在行業(yè)內(nèi)比較不同公司的EBIT，可以了解公司在行業(yè)中的競(jìng)爭(zhēng)地位。
（圖源：ASML 2024投資者日）
受AI推動(dòng)，摩爾定律繼續(xù)向前
摩爾定律近些年來(lái)受到的質(zhì)疑頗多，但就ASML的研究來(lái)看，摩爾定律在算力領(lǐng)域仍然是很健康的。每個(gè)封裝中的晶體管數(shù)量仍然每?jī)赡攴环A(yù)計(jì)到2030年將達(dá)到一萬(wàn)億個(gè)晶體管。而且，生成式AI的發(fā)展將加速摩爾定律的進(jìn)程，生成式AI和高性能計(jì)算（HPC）的增長(zhǎng)速度已超越摩爾定律，后者的增長(zhǎng)速度達(dá)到了每?jī)赡?6倍的提升。到2030年，超過(guò)70%的數(shù)據(jù)中心需求可能將由AI驅(qū)動(dòng)，其中生成式AI將占據(jù)超過(guò)90%的計(jì)算需求（FLOPs）。
因此，對(duì)于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言，縮小晶體管仍是降本增效最簡(jiǎn)單的方法。半導(dǎo)體生態(tài)鏈上的企業(yè)也將從各個(gè)維度繼續(xù)推動(dòng)芯片微縮。
首先在先進(jìn)制程方面：
1）臺(tái)積電在先進(jìn)制程領(lǐng)域占據(jù)重要帶頭作用，2025年，臺(tái)積電預(yù)計(jì)2nm將于2025下半年量產(chǎn)。根據(jù)臺(tái)積電在IEDM 2024上的演講，臺(tái)積電N2比N3速度提升了15%，功耗降低了30%，芯片密度提高了1.15倍以上。
2）英特爾也在推動(dòng)18A的量產(chǎn)。2024年8月，英特爾宣布其18A芯片已上電運(yùn)行，并順利啟動(dòng)操作系統(tǒng)，將用于2025年推出的新一代客戶(hù)端和服務(wù)器產(chǎn)品。
其次，先進(jìn)制程的持續(xù)推進(jìn)與算力的提升，離不開(kāi)先進(jìn)封裝技術(shù)的支持。未來(lái)較長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi)，3D封裝與2D封裝等先進(jìn)封裝技術(shù)的協(xié)同發(fā)展，將成為提升芯片密度與性能的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。根據(jù)Yole最新發(fā)布的《2024年先進(jìn)封裝市場(chǎng)狀況》報(bào)告，預(yù)計(jì)2023年至2029年，全球先進(jìn)封裝市場(chǎng)的復(fù)合年增長(zhǎng)率（CAGR）將達(dá)到11%，市場(chǎng)規(guī)模有望擴(kuò)展至695億美元。
在3D封裝領(lǐng)域，代表性技術(shù)包括臺(tái)積電的3D-Fabric、英特爾的Foveros，以及三星的X-Cube。同時(shí)，2.5D封裝技術(shù)（如CoWoS）在AI芯片應(yīng)用中展現(xiàn)了重要作用，臺(tái)積電正在擴(kuò)充CoWoS產(chǎn)能，目標(biāo)是從2024年的33萬(wàn)片大幅擴(kuò)中至2025年的66萬(wàn)片。此外，臺(tái)積電與日月光等企業(yè)正加速布局扇出型面板級(jí)封裝（FOPLP）技術(shù)。
再者，光刻機(jī)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的戰(zhàn)略?xún)r(jià)值不可忽視，無(wú)論是High-NA EUV、EUV，還是DUV技術(shù)，都在先進(jìn)制程中扮演著關(guān)鍵角色。目前，英特爾已率先采購(gòu)了ASML的最新一代High-NA EUV光刻機(jī)，臺(tái)積電和三星也陸續(xù)釋放出采購(gòu)需求。根據(jù)ASML的預(yù)測(cè)，全景光刻（Holistic Lithography）設(shè)備業(yè)務(wù)在2025年至2030年間預(yù)計(jì)將以超過(guò)15%的年復(fù)合增長(zhǎng)率（CAGR）持續(xù)發(fā)展，并保持較高的毛利率水平。在具體應(yīng)用方面，ASML預(yù)測(cè)，在先進(jìn)邏輯芯片領(lǐng)域，EUV光刻設(shè)備的復(fù)合年增長(zhǎng)率為10%-20%；而在DRAM存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，這一增長(zhǎng)率更高，預(yù)計(jì)達(dá)到15%-25%。這進(jìn)一步凸顯了EUV技術(shù)在支撐先進(jìn)制程、滿(mǎn)足多樣化市場(chǎng)需求中的重要作用，以及其對(duì)推動(dòng)半導(dǎo)體技術(shù)革新的核心地位。
最后，在人工智能、高性能計(jì)算（HPC）和數(shù)據(jù)中心等算力密集型應(yīng)用中，存儲(chǔ)技術(shù)的性能提升是算力提升的重要支柱。
1）近年來(lái)，HBM憑借高帶寬、低延遲和高能效等特點(diǎn)，成為AI芯片標(biāo)配。如下圖所示，自2020年以來(lái)，Nvidia的AI芯片逐步提升HBM的配置，從Ampere芯片的5片HBM2e（80GB）逐步擴(kuò)展到2027年預(yù)期的Rubin芯片，配備12片HBM4。
2）此外，AI也在推動(dòng)DRAM架構(gòu)的演變。傳統(tǒng)的馮·諾依曼架構(gòu)將處理單元與存儲(chǔ)單元分離，導(dǎo)致頻繁的數(shù)據(jù)傳輸限制了系統(tǒng)的效率。存內(nèi)計(jì)算（PIM）也是產(chǎn)業(yè)界努力的一個(gè)方向，PIM通過(guò)內(nèi)存和邏輯單元的集成降低了數(shù)據(jù)傳輸功耗，同時(shí)減少了處理單元對(duì)高頻數(shù)據(jù)交換的依賴(lài)。
英偉達(dá)AI擴(kuò)展路線圖：HBM內(nèi)存容量迅速增加
（圖源：ASML 2024投資者日）
中國(guó)芯崛起：成熟制程成發(fā)展重心
在半導(dǎo)體的競(jìng)賽中，如同前文所述，在以往幾乎被歐美、日韓企業(yè)主導(dǎo)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)版圖中，中國(guó)企業(yè)的存在感正逐步加強(qiáng)。中國(guó)企業(yè)正以成熟制程為突破口，在全球半導(dǎo)體版圖中逐步崛起。
根據(jù)ASML的分析，半導(dǎo)體市場(chǎng)可分為“先進(jìn)領(lǐng)域”和“主流領(lǐng)域”，先進(jìn)領(lǐng)域主要涉及邏輯芯片、MPU（微處理器）和DRAM等高端應(yīng)用，這些技術(shù)高度依賴(lài)于極紫外光刻（EUV）等先進(jìn)制程，應(yīng)用場(chǎng)景集中于美國(guó)、韓國(guó)和臺(tái)灣等技術(shù)前沿地區(qū)；而主流領(lǐng)域則涵蓋了模擬芯片、功率芯片、傳感器、NAND閃存等日常需求量較大的芯片產(chǎn)品，主要采用ArFi、ArF、KrF和i-Line等光刻技術(shù)，區(qū)域分布廣泛，覆蓋了歐洲、日本和中國(guó)等半導(dǎo)體消費(fèi)大國(guó)。
面對(duì)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局，中國(guó)企業(yè)選擇了一條更加貼合自身優(yōu)勢(shì)的發(fā)展道路——發(fā)力在主流領(lǐng)域，聚焦成熟制程。據(jù)TrendForce統(tǒng)計(jì)，到2024年底，中國(guó)大陸將有32座新建成熟晶圓廠加入市場(chǎng)，加上原有的44座，大陸將在成熟制程領(lǐng)域占據(jù)重要地位。這些成熟晶圓廠催生了大量DUV光刻機(jī)的需求。其中在2024年第二季度，ASML有49% 的凈系統(tǒng)銷(xiāo)售額來(lái)自中國(guó)。
ASML在投資者日中分析了DUV的價(jià)值，盡管EUV技術(shù)在先進(jìn)制程中已被廣泛采用，但DUV因其成熟度、性?xún)r(jià)比和廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景，仍是當(dāng)前許多制造環(huán)節(jié)的關(guān)鍵。DUV技術(shù)仍然是半導(dǎo)體行業(yè)的重要核心工具，并將在未來(lái)持續(xù)發(fā)揮主力作用。
自1988年ASML首臺(tái)光刻機(jī)進(jìn)入中國(guó)，其已進(jìn)入中國(guó)市場(chǎng)30余年。盡管近年來(lái)面臨諸多挑戰(zhàn)，但ASML在合規(guī)合法的前提下，仍在積極尋找與中國(guó)大陸市場(chǎng)的合作機(jī)會(huì)。2024年中國(guó)國(guó)際進(jìn)口博覽會(huì)上，ASML展示了3款旗艦DUV光刻機(jī)，包括TWINSCAN NXT: 1470、NXT: 870和即將推出的XT: 260，這些機(jī)型吸引了廣泛關(guān)注。其中，NXT: 1470是一款產(chǎn)能強(qiáng)大的雙平臺(tái)ArF干式光刻設(shè)備，成為業(yè)界首款每小時(shí)晶圓產(chǎn)量突破300片的系統(tǒng)；而NXT: 870則是一款高效能的KrF光刻設(shè)備，其每小時(shí)晶圓產(chǎn)量更是高達(dá)330片。這兩款產(chǎn)品在精度與速度方面均取得了顯著突破，為客戶(hù)提升生產(chǎn)效率和產(chǎn)能提供了強(qiáng)大支持。
TWINSCAN NXT: 1470
（圖源：ASML）
ASML認(rèn)為，DUV技術(shù)將在未來(lái)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中繼續(xù)發(fā)揮主力作用，特別是在支持模擬芯片、功率器件和傳感器等成熟制程的制造中。
半導(dǎo)體的未來(lái)：性能與能耗的博弈
在未來(lái)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展過(guò)程中，從技術(shù)上來(lái)看，未來(lái)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)可以歸結(jié)為兩大核心目標(biāo)：
第一是持續(xù)提升性能和算力，以滿(mǎn)足人工智能、高性能計(jì)算等新興領(lǐng)域的需求。
具體而言，在先進(jìn)制程領(lǐng)域，芯片技術(shù)節(jié)點(diǎn)微縮將繼續(xù)。如下圖所示，從2025年的2nm發(fā)展到1.4nm、1nm一直到sub-0.2。
半導(dǎo)體制造商將繼續(xù)推動(dòng)縮小芯片尺寸
（圖源：ASML 2024投資者日）
先進(jìn)封裝技術(shù)（如3D堆疊與2D封裝）成為提升芯片密度和性能的重要手段。前端3D集成為包括NAND、DRAM和邏輯芯片在內(nèi)的所有半導(dǎo)體產(chǎn)品提供了新的發(fā)展空間，隨著中介層尺寸的擴(kuò)大，大視場(chǎng)曝光系統(tǒng)的重要性日益凸顯。為應(yīng)對(duì)這一趨勢(shì)，ASML計(jì)劃于今年（2025年）推出一款名為XT:260的光刻系統(tǒng)，它基于ASML獨(dú)有的雙工作臺(tái)技術(shù)，采用了廣受認(rèn)可的XT4平臺(tái)，具備雙倍視場(chǎng)曝光能力，顯著提升性能并降低晶圓成本，適用于從先進(jìn)封裝到主流市場(chǎng)的廣泛應(yīng)用需求。
先進(jìn)封裝可以受益于XT:260更大的曝光區(qū)域
（圖源：ASML 2024投資者日）
混合鍵合和光互連等互連技術(shù)也在提高晶體管密度方面扮演著關(guān)鍵角色。例如，在DRAM技術(shù)路線圖中，未來(lái)的D1c（2025年）、D1d（2027年）等節(jié)點(diǎn)均依賴(lài)于晶圓鍵合技術(shù)的創(chuàng)新。同時(shí)，6F2架構(gòu)將在2025至2030年間持續(xù)發(fā)展，通過(guò)多層疊加和存儲(chǔ)、邏輯多層鍵合，進(jìn)一步提升芯片密度。到2031年，6F2+CBA（Cell-based Architecture）將成為新階段，實(shí)現(xiàn)密度的再一次飛躍。
在光互連方面，2024年6月，英特爾推出的業(yè)界領(lǐng)先OCI（光學(xué)計(jì)算互連）芯粒，展示了光通信在高帶寬、低功耗長(zhǎng)距離傳輸中的潛力。該芯粒與CPU集成，支持64個(gè)32Gbps通道，可運(yùn)行在最長(zhǎng)100米的光纖上，滿(mǎn)足AI基礎(chǔ)設(shè)施對(duì)算力、帶寬和能效的嚴(yán)苛需求。
第二是隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)和5G等領(lǐng)域的快速發(fā)展，對(duì)功耗的控制和成本的優(yōu)化將變得愈發(fā)重要。從整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的視角來(lái)看，無(wú)論是晶圓制造、設(shè)計(jì)研發(fā)、設(shè)備供應(yīng)還是封裝測(cè)試環(huán)節(jié)，各個(gè)細(xì)分領(lǐng)域都在通過(guò)創(chuàng)新策略共同推動(dòng)成本的降低與能耗的優(yōu)化
從半導(dǎo)體制造的核心環(huán)節(jié)——光刻工藝的角度出發(fā)，ASML提出了三種降低晶圓圖案化過(guò)程的總體成本和碳排放優(yōu)化策略：
1）增加每步工藝中合格晶體管的數(shù)量，以提高生產(chǎn)效率。
2）簡(jiǎn)化整體工藝流程，減少不必要的步驟，降低復(fù)雜性。
3）最大限度減少每個(gè)處理步驟的成本和排放，優(yōu)化每一步驟的能效。
在價(jià)格敏感的DUV領(lǐng)域，ASML則通過(guò)全景光刻價(jià)值公式解決DUV光刻過(guò)程中的核心價(jià)值和成本驅(qū)動(dòng)因素。這一公式涉及到光刻中的四個(gè)關(guān)鍵要素：圖形化良率（Patterning Yield）、分辨率（Resolution）、精度（Accuracy）和生產(chǎn)力（Productivity），并以此優(yōu)化系統(tǒng)成本、使用壽命、運(yùn)營(yíng)成本和環(huán)境成本。
ASML全景光刻價(jià)值公式
（圖源：ASML 2024投資者日）
只有在降本與節(jié)能中實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破和生態(tài)協(xié)同，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)才能在可持續(xù)發(fā)展的道路上走得更遠(yuǎn)。
結(jié)語(yǔ)
展望未來(lái)，如同ASML在2024投資者日上所總結(jié)的，半導(dǎo)體行業(yè)的長(zhǎng)期前景仍然充滿(mǎn)希望，全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額將以9%的復(fù)合年增長(zhǎng)率(2025-2030年)增長(zhǎng)，到2030年超過(guò)1萬(wàn)億美元。
然而，半導(dǎo)體行業(yè)的未來(lái)并非一帆風(fēng)順，變數(shù)依然存在。地緣政治的不確定性可能影響全球供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性，AI的普及速度將決定先進(jìn)制程和芯片架構(gòu)的升級(jí)步伐，新一輪產(chǎn)能擴(kuò)張可能導(dǎo)致短期內(nèi)的供需波動(dòng)，而新技術(shù)的突破也伴隨著工藝復(fù)雜性、成本壓力和經(jīng)濟(jì)可行性的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。
在機(jī)遇與挑戰(zhàn)并存的時(shí)代，半導(dǎo)體行業(yè)需要更敏捷地適應(yīng)變化，更深入地推進(jìn)技術(shù)創(chuàng)新，同時(shí)更緊密地構(gòu)建全球協(xié)作生態(tài)。無(wú)論是從市場(chǎng)的多樣化需求，還是從技術(shù)演進(jìn)的必然規(guī)律來(lái)看，半導(dǎo)體行業(yè)的未來(lái)不僅是創(chuàng)新的延續(xù)，更是對(duì)靈活性、效率和可持續(xù)性的全面考驗(yàn)。面對(duì)復(fù)雜的產(chǎn)業(yè)環(huán)境和宏觀趨勢(shì)，唯有保持開(kāi)放視野、洞察前沿趨勢(shì)并以戰(zhàn)略定力應(yīng)對(duì)變化，才能在全球競(jìng)爭(zhēng)中占據(jù)主動(dòng)，并為數(shù)字化未來(lái)提供堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)支撐。
來(lái)源：半導(dǎo)體行業(yè)觀察
